High-k-eriste on korkean (κ)-arvon omaava ohutkalvoeriste puolijohdekalvorakenteessa. k-arvolla tarkoitetaan dielektristä vakiota, joka on materiaalin suhteellinen permittiivisyys eli materiaalin permittiivisyyden suhde tyhjiön vastaavaan arvoon. Tyhjiön k-arvo on yksi. Puolijohdeteollisuuden kielenkäytössä high-k tarkoittaa korkeaa dielektristä vakiota verrattuna SiO2:iin, jota nykyään käytetään transistorien eristeenä CMOS-kalvorakenteessa. Pakkaustiheyden kasvaessa mikropiireillä alkaa vuotovirrasta tulla ongelma, minkä vuoksi piidioksidikalvo pitää korvata transistorirakenteessa paremmalla eristeellä. Uudessa 45 nanometrin prosessorisukupolvessa Intel on päättänyt ottaa käyttöön hafniumyhdisteen tällaiseksi high-k-kalvoksi. Ilmeisesti kyseessä on HfO2.
Poikkileikkaus MOSFET-rakenteesta, jossa näkyy oksidieristekalvo
- Intel ilmoitti käyttävänsä hafniumpohjaista high-k-eristekalvoa 45 nm:n piireissään. [1] [2] [3]
|
